High-temperature behavior of supported graphene: Electron-phonon coupling and substrate-induced doping.
Erratum: High-temperature behavior of supported graphene: Electron-phonon coupling and substrate-induced doping (Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (2012) 86 (161402) DOI: 10.1103/PhysRevB.86.161402)
BARALDI, Alessandro;
2016-01-01
Abstract
High-temperature behavior of supported graphene: Electron-phonon coupling and substrate-induced doping.File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
PhysRevB.93.239901.pdf
Accesso chiuso
Tipologia:
Documento in Versione Editoriale
Licenza:
Digital Rights Management non definito
Dimensione
147.74 kB
Formato
Adobe PDF
|
147.74 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.