Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
ArTS Archivio della ricerca di Trieste
Now that the modeling of simple semiconductor systems has become reliable, accurate and routine, attention is focusing on larger scale, more complex simulations. Many of these necessarily involve multiscale aspects and can only be tackled by addressing the different length scales simultaneously. We discuss some of the types of problems that require multiscale approaches. Finally we describe the LOTF (learn-on-the-fly) hybrid scheme with a series of examples to show its versatility and power
Multiscale Modeling of Defectsin Semiconductors:A Novel Molecular-Dynamics SchemeTheory of Defects in Semiconductors / Gábor, C., Gianpietro, M., James R., K., Michael C., P., Alison, M., DE VITA, A.. - 104:(2006), pp. 193-212. [10.1007/11690320_9]
Multiscale Modeling of Defectsin Semiconductors:A Novel Molecular-Dynamics SchemeTheory of Defects in Semiconductors
Gábor Csányi;Gianpietro Moras;James R. Kermode;Michael C. Payne;Alison Mainwood;DE VITA, ALESSANDRO
2006-01-01
Abstract
Now that the modeling of simple semiconductor systems has become reliable, accurate and routine, attention is focusing on larger scale, more complex simulations. Many of these necessarily involve multiscale aspects and can only be tackled by addressing the different length scales simultaneously. We discuss some of the types of problems that require multiscale approaches. Finally we describe the LOTF (learn-on-the-fly) hybrid scheme with a series of examples to show its versatility and power
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11368/2560674
Avviso
Registrazione in corso di verifica.
La registrazione di questo prodotto non è ancora stata validata in ArTS.
Citazioni
ND
6
ND
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.