IEEE TRANS. ELEC. DEV.
Titolo: | On the Accuracy of Generation Lifetime Measurement in High-Resistivity Silicon Using PN Gated Diodes |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1999 |
Rivista: | |
Abstract: | IEEE TRANS. ELEC. DEV. |
Handle: | http://hdl.handle.net/11368/1690994 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in Rivista |
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