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EnglishIEEE TRANS. ELEC. DEV.
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http://hdl.handle.net/11368/1690994| Titolo: | On the Accuracy of Generation Lifetime Measurement in High-Resistivity Silicon Using PN Gated Diodes |
| Autori interni: | BOSISIO, LUCIANO |
| Data di pubblicazione: | 1999 |
| Rivista: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| Abstract: | IEEE TRANS. ELEC. DEV. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11368/1690994 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in Rivista |
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