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    • IEEE TRANS. ELEC. DEV.



    Titolo: On the Accuracy of Generation Lifetime Measurement in High-Resistivity Silicon Using PN Gated Diodes
    Autori: 
    BOSISIO, LUCIANO
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    Data di pubblicazione: 1999
    Rivista: 
    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES  
    Abstract: IEEE TRANS. ELEC. DEV.
    Handle: http://hdl.handle.net/11368/1690994
    Appare nelle tipologie:1.1 Articolo in Rivista

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