N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results.

	Anno
	
			2006
		
	Rivista
	
			SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
		
	Appare nelle tipologie:
	
			1.1 Articolo in Rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11368/1691023

Registrazione in corso di verifica.
La registrazione di questo prodotto non è ancora stata validata in ArTS.

ArTS Archivio della ricerca di Trieste