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    • N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results. / VERZELLESI G; BERGAMINI D; DALLA BETTA G.F; PIEMONTE C; BOSCARDIN M; BOSISIO L.; BETTARINI S; BATIGNANI G. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 21(2006), pp. 194-200.


    Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11368/1691023

    Titolo: N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results.
    Autori interni: BOSISIO, LUCIANO
    Data di pubblicazione: 2006
    Rivista: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY  
    Handle: http://hdl.handle.net/11368/1691023
    Appare nelle tipologie:1.1 Articolo in Rivista

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