N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results / VERZELLESI G; BERGAMINI D; DALLA BETTA G.F; PIEMONTE C; BOSCARDIN M; BOSISIO L.; BETTARINI S; BATIGNANI G. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 21:(2006), pp. 194-200.
Titolo: | N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results. | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2006 | |
Rivista: | ||
Handle: | http://hdl.handle.net/11368/1691023 | |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in Rivista |
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