N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results.

Verzellesi, G; Bergamini, D; DALLA BETTA G., F; Piemonte, C; Boscardin, M; Bosisio, Luciano; Bettarini, S; Batignani, G.

N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results. / VERZELLESI G; BERGAMINI D; DALLA BETTA G.F; PIEMONTE C; BOSCARDIN M; BOSISIO L.; BETTARINI S; BATIGNANI G. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 21(2006), pp. 194-200.

Titolo:	N-p-n bipolar-junction-transistor detector with integrated p-n-p biasing transistor – feasibility study, design, and first experimental results.
Autori:	VERZELLESI G BERGAMINI D DALLA BETTA G. F PIEMONTE C BOSCARDIN M BOSISIO, LUCIANO BETTARINI S BATIGNANI G. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2006
Rivista:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Handle:	http://hdl.handle.net/11368/1691023
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in Rivista

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