Development of Deep N-Well Monolithic Active Pixel Sensors in a 0.13 µm CMOS Technology / S., Bettarini; A., Bardi; G., Batignani; F., Bosi; G., Calderini; R., Cenci; M., Dellorso; F., Forti; P., Giannetti; M. A., Giorgi; A., Lusiani; G., Marchiori; F., Morsani; N., Neri; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; C., Andreoli; E., Pozzati; L., Ratti; V., Speziali; M., Manghisoni; V., Re; G., Traversi; Bosisio, Luciano; G., Giacomini; Lanceri, Livio; I., Rachevskaia; Vitale, Lorenzo; M., Bruschi; B., Giacobbe; N., Semprini; R., Spighi; M., Villa; A., Zoccoli; D., Gamba; G., Giraudo; P., Mereu; G. F., DALLA BETTA; G., Soncini; G., Fontana; L. PANCHERI AND G., Verzellesi. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - 572:(2007), pp. 277-280.

Development of Deep N-Well Monolithic Active Pixel Sensors in a 0.13 µm CMOS Technology.

BOSISIO, LUCIANO;LANCERI, LIVIO;VITALE, LORENZO;
2007-01-01

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