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EnglishMetal/III-V Diodes Engineered by means of Si Interlayers: Interface Reactions versus Local Interface Dipoles / BONANNI B.; ORANI D.; LAZZARINO M.; RUBINI S.; FRANCIOSI A.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 79(2001), pp. 1462-1464.
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http://hdl.handle.net/11368/1694135| Titolo: | Metal/III-V Diodes Engineered by means of Si Interlayers: Interface Reactions versus Local Interface Dipoles |
| Autori interni: | FRANCIOSI, ALFONSO |
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Rivista: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11368/1694135 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in Rivista |
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