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    • Transmission Electron Microscopy Studies of the Microstructure of Si Layers Grown on GaAs(001) under an Excess As or Al Flux / CARLINO E.; SORBA L.; FRANCIOSI A.; HEUN S.; MLLER B.H.. - In: PHILOSOPHICAL MAGAZINE. B. PHYSICS OF CONDENSED MATTER. STATISTICAL MECHANICS, ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES. - ISSN 1364-2812. - 80(2000), pp. 1055-1069.


    Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11368/1694143

    Titolo: Transmission Electron Microscopy Studies of the Microstructure of Si Layers Grown on GaAs(001) under an Excess As or Al Flux
    Autori interni: FRANCIOSI, ALFONSO
    Data di pubblicazione: 2000
    Rivista: PHILOSOPHICAL MAGAZINE. B. PHYSICS OF CONDENSED MATTER. STATISTICAL MECHANICS, ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES  
    Handle: http://hdl.handle.net/11368/1694143
    Appare nelle tipologie:1.1 Articolo in Rivista

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