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In-Plane Bandgap Engineering by Modulated Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors / Felici, M., Polimeni, A., Salviati, G., Lazzarini, L., Armani, N., Masia, F., Capizzi, M., Martelli, F., Lazzarino, M., Bais, G., Piccin, M., Rubini, S., Franciosi, A.. - In: ADVANCED MATERIALS. - ISSN 0734-7146. - 18:(2006), pp. 1993-1997.
In-Plane Bandgap Engineering by Modulated Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11368/1694167
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
