NUOVO CIMENTO
Characterization of MOS transistors integrated on high-resistivity silicon with a DSSD process / Batignani, G; Forti, F; Giorgi, M; Rampino, G; Tritto, S; Bosisio, Luciano; DELLA MARINA, R.. - In: NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETÀ ITALIANA DI FISICA. A, NUCLEI, PARTICLES AND FIELDS. - ISSN 1124-1861. - 110 A:(1997), pp. 817-827.
Characterization of MOS transistors integrated on high-resistivity silicon with a DSSD process
BOSISIO, LUCIANO;
1997-01-01
Abstract
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