First-Principles Investigations of Intrinsic and Si-doped GaAs Nanowires: Structural Stability and Electronic Properties / Ghaderi, N., Peressi, M., Binggeli, N.. - In: AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. - ISSN 0094-243X. - 1018:(2008), pp. 193-196. [10.1063/1.2947681]
First-Principles Investigations of Intrinsic and Si-doped GaAs Nanowires: Structural Stability and Electronic Properties
PERESSI, MARIA;
2008-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
