Etude de la luminescence de plasma électron-trou dans Ga1−xAlxAs, dans des échantillons confinés en deux ou trois dimensions. Détermination d'une limite supérieure de la longueur de diffusion du plasma (∼25 μm). Les spectres de luminescence des plasmas uniformes, non développés, sont bien analysés au moyen d'un modèle à n corps à conservation de k, incluant une renormalisation de l'énergie des particules isolées et un élargissement de durées de vie
electron-hole plasma in direct-gap semiconductors / M., Capizzi; A., Frova; Modesti, Silvio; A., Selloni; J. L., Staeli; M., Guzzi. - In: HELVETICA PHYSICA ACTA. - ISSN 0018-0238. - STAMPA. - 58:(1985), pp. 272-280.
electron-hole plasma in direct-gap semiconductors
MODESTI, SILVIO;
1985-01-01
Abstract
Etude de la luminescence de plasma électron-trou dans Ga1−xAlxAs, dans des échantillons confinés en deux ou trois dimensions. Détermination d'une limite supérieure de la longueur de diffusion du plasma (∼25 μm). Les spectres de luminescence des plasmas uniformes, non développés, sont bien analysés au moyen d'un modèle à n corps à conservation de k, incluant une renormalisation de l'énergie des particules isolées et un élargissement de durées de viePubblicazioni consigliate
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