Role of structural and chemical contributions to valence-band offsets at strained-layer heterojunctions: The GaAs/GaP (001) case / M., D.V., Peressi, M., Baldereschi, A.. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - 14:(1996), pp. 2936-2939. [10.1116/1.588937]
Role of structural and chemical contributions to valence-band offsets at strained-layer heterojunctions: The GaAs/GaP (001) case
PERESSI, MARIA;BALDERESCHI, ALFONSO
1996-01-01
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