Structural and electronic properties of strained Si/GaAs heterostructures / Peressi, M., L., C., Resta, R., S., B., Baldereschi, A.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 48:(1993), pp. 12047-12052. [10.1103/PhysRevB.48.12047]
Structural and electronic properties of strained Si/GaAs heterostructures
PERESSI, MARIA;RESTA, Raffaele;BALDERESCHI, ALFONSO
1993-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


